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タイトル「2008年度シラバス」、フォルダ「2008年度シラバス?専門科目(電子・光)
シラバスの詳細は以下となります。
科目名 半導体基礎 
担当教員 河東田 隆 
対象学年 2年  クラス 学部:専門001 
講義室 A101  開講学期 2学期 
曜日・時限 月3,月4  単位区分 選択 
授業形態 一般講義  単位数
準備事項  
備考  
授業の詳細1 講義の目的
  
半導体を用いたデバイスの機能や特性を理解するために必要な半導体の性質を学ぶ.

講義の進め方
  
半導体の特徴が何であるかを確認した後,実際によく使われる結晶について,半導体が持つ機能,金属と半導体の接触で生じる機能などを示す.

達成目標
  
デバイスの機能や特性を理解出来るよう半導体の性質を十分理解する. 
 
授業の詳細2 講義計画
  
1. 半導体の特徴
  半導体の特徴が何であり,その特徴がなぜ生まれるかを再確認する.
2−3. 結晶構造
  基本的な結晶格子,主要な結晶面について学ぶ.
4−5. 結合
  半導体を作っている結合とイオン性について学ぶ.
6−7. 発光・受光
  半導体で得られる発光,受光の基本的メカニズムを学ぶ.
8. ホ−ル効果
  半導体が持つ電気−磁気的効果について学ぶ.
9. ぺルチェ効果
  半導体が持つ熱の電気的作用について学ぶ.
10. ピエゾ効果
  半導体が持つ圧力の電気的作用について学ぶ.
11−12   金属−半導体接触
  金属と半導体の接触界面の電子的構造と,それによって生じる機能について学ぶ.
13−14  pn接合
  pn接合の電子的構造とそれによって生じる基本的機能を学ぶ.
15. 試験

 
授業の詳細3 テキスト: 特に指定しない
参考書: 電子デバイス〔1〕古川静二郎,松村正清 著 昭晃堂 2000円など
成績評価:2回の中間試験 各20点満点
     期末試験 60点満点  合計100点満点
     60点以上達成された場合を合格とする.講義中に行う演習に対する解答は考慮するが,出席点は加算しない.再試験は行わない.
<成績評価の基準>
AA:特に優れた成績を示したもの
A :優れた成績を示したもの
B :良好と認められる成績を示したもの
C :合格と認められる成績を示したもの
F :不合格
履修上の注意: 各回の内容がそれまでの内容に積み重ねられていくので,各回毎に内容を十分理解すること.
履修前の受講が望ましい科目: 電子物性基礎
 
授業の詳細4  
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