| 科目名 |
特別セミナー１ |
| 担当教員 |
真田 克 |
| 対象学年 |
1年 |
クラス |
院：専門091 |
| 講義室 |
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開講学期 |
１学期 |
| 曜日・時限 |
時間外 |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
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| 備考 |
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| 授業の詳細1 |
修士課程は研究活動に従事するための最初のステップである。能動的な姿勢で講義に臨むこと。分からないことは調べ、自分なるに理解していく姿勢が重要である。
講義内容は一応答えをもっているつもりであるが正しいとは限らない事項もある。また、未知の分野も含むため共に議論することもある。主体的な受講をお願いする。 |
| 授業の詳細2 |
「授業の目標」
１ 調査した内容を簡潔にまとめる力を身につける
２ 発表内容を的確に人に伝える力を身につける
３ ＭＯＳ集積回路を理解する力を身につける
以上、下記に示す授業計画に沿った内容を調査・発表することを主眼に、技術者・研究者としての基本姿勢を身に着けることを目標とする。
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| 授業の詳細3 |
１．LSIの進展
Mooreの法則に従って進展してきているLSIに対して、ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors 国際半導体技術ロードマップ)が中心になってこの開発技術の促進を図っている。このデータをもとに今何が大きな問題となっているかを話す。
大規模化
微細化
高速化
多層配線構造化
回路混載によるシステム化
これらを評価する技術
に関して、概略を述べる。
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| 授業の詳細4 |
２．MOSトランジスタの特性評価
LSIの95%以上を占めるCMOSLSIに関して、トランジスタレベルの顕在化問題に関して述べる。hpが45n／32n／18nへと進むTrの問題点は何か？
基盤バイアス効果
チャネル長変調効果
サブスレッショールド特性（Vt判定）
移動度（バルク移動度と表面移動度）
微細化に伴う問題（ホットキャリア、NBTIなど）
High-ｋ
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| 授業の詳細5 |
３．配線系の問題
多層配線構造化は10層以上となる。微細化は配線幅／間隔の縮小へ到っている。配線容量、配線抵抗など大きな問題が顕在化してきている。
配線容量と抵抗
インダクタンス
Al→Al-Si→Al-Si-Cu→Cu配線へと移行
配線がLSI動作遅延を律速している（Trの逆転）
Low-ｋ
品質問題（エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション）
配線長と周波数の関係（高周波）
信頼性問題として シグナルインテグリテイ（IRドロップ、クロストーク、電源ノイズ）
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| 授業の詳細6 |
「成績評価」
■AA：４つの条件を満足したものを評価する。①自分の考えを網羅した調査内容 ②まとめ方 ③発表姿勢及び、④提出レポート類の完成度が非常に高い
■A：上記条件の評価が高い
■B：上記条件の評価が普通
■C：上記条件の評価が低い
■F：提出レポート類が1つでも抜けた場合は不合格とする
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| 授業の詳細7 |
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| 授業の詳細8 |
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| 授業の詳細9 |
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| 授業の詳細10 |
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