| 科目名 |
特別セミナー２ |
| 担当教員 |
真田 克 |
| 対象学年 |
1年 |
クラス |
院：専門084 |
| 講義室 |
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開講学期 |
２学期 |
| 曜日・時限 |
時間外 |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
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| 備考 |
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| 授業の詳細1 |
修士課程は研究活動に従事するための最初のステップである。能動的な姿勢で講義に臨むこと。分からないことは調べ、自分なるに理解していく姿勢が重要である。
講義内容は一応答えをもっているつもりであるが正しいとは限らない事項もある。また、未知の分野も含むため共に議論することもある。主体的な受講をお願いする。 |
| 授業の詳細2 |
「授業の目標」
１ 調査した内容を簡潔にまとめる力を身につける
２ 発表内容を的確に人に伝える力を身につける
３ ＭＯＳ集積回路を理解する力を身につける
以上、下記に示す授業計画に沿った内容を調査・発表することを主眼に、技術者・研究者としての基本姿勢を身に着けることを目標とする。
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| 授業の詳細3 |
1．製造歩留まりと信頼性
LSIの品質を評価し、信頼性の高いLSIを市場に供給するにはどうするか？
数理統計が必修となる。使用者にとって重要な寿命に関して述べる。
前提となる正規分布関数
寿命分布モデル
指数分布
ワイブル分布
加速モデル
二項分布とポアソン分布
ウエハー欠陥密度分布
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| 授業の詳細4 |
２．テスト技術
大規模化、多数ピン化はLSIのテストコストを増大させている。現在、製造コストよりテスト（評価）コストが高くなっており、企業にとって大きな問題となっている。この対策と品質評価トレンドについて述べる。
回路上の工夫：scan、BISTなど、
LSIの評価パラメータ（論理テスト、電流テスト）
テスタのトレンド（簡易テスタの再利用）
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| 授業の詳細5 |
３．故障原因の究明
1000万素子以上を占めるLSIの1箇所に発生した故障箇所を特定し、この故障原因を究明する技術が研究されている。ソフトウエアを用いた故障候補の特定、故障に伴う物理現象を用いた故障箇所候補の特定技術が研究開発されている。現状の研究開発技術を中心に述べる。
（関係学会：LSIテステイングシンポジウム、IRPS、ISTFA、ESREFなどがある）
スクリーニング技術（バスタブ･カーブ）
故障診断技術：論理利用、電源電流利用
故障に伴う物理現象の特定技術：熱、光、磁気、電流利用
加工技術：FIB、FLB、エキシマレーザ、RIEなど
分析技術：ASE、SIMS、AFM、AP
なによりも、これらを支えるLSI設計データ、LSIレイアウトデータが必須である。そしてこれらを組み込んで、診断・解析する「故障解析統合化システム」が研究されている。
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| 授業の詳細6 |
「成績評価」
■AA：４つの条件を満足したものを評価する。①自分の考えを網羅した調査内容 ②まとめ方 ③発表姿勢及び、④提出レポート類の完成度が非常に高い
■A：上記条件の評価が高い
■B：上記条件の評価が普通
■C：上記条件の評価が低い
■F：提出レポート類が1つでも抜けた場合は不合格とする
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| 授業の詳細7 |
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| 授業の詳細8 |
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| 授業の詳細9 |
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| 授業の詳細10 |
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