科目名 |
特別セミナー3 |
担当教員 |
真田 克 |
対象学年 |
2年 |
クラス |
院:専門075 |
講義室 |
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開講学期 |
1学期 |
曜日・時限 |
時間外 |
単位区分 |
選択 |
授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
準備事項 |
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備考 |
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授業の詳細1 |
修士課程は研究活動に従事するための最初のステップである。能動的な姿勢で講義に臨むこと。分からないことは調べ、自分なるに理解していく姿勢が重要である。 講義内容は一応答えをもっているつもりであるが正しいとは限らない事項もある。また、未知の分野も含むため共に議論することもある。主体的な受講をお願いする。 |
授業の詳細2 |
「授業の目標」 1 調査した内容を簡潔にまとめる力を身につける 2 発表内容を的確に人に伝える力を身につける 3 MOS集積回路を理解する力を身につける 以上、下記に示す授業計画に沿った内容を調査・発表することを主眼に、技術者・研究者としての基本姿勢を身に着けることを目標とする。 |
授業の詳細3 |
1.新デバイスに関する調査・研究を行なう。 Si以外の物質の調査、研究
2.光の応用
3.3次元構造化LSI
4.ボール半導体
5.CNT利用の調査 |
授業の詳細4 |
歴史にみるLSI産業のイノベーション 産業の米と言われる半導体が現在どのような状況に置かれているか 企業における技術戦略の調査と各人の考え 世界におけるLSI産業地図 など、経済の観点からLSIの推移を議論する。 |
授業の詳細5 |
「成績評価」 ■AA:4つの条件を満足したものを評価する。@自分の考えを網羅した調査内容 Aまとめ方 B発表姿勢及び、C提出レポート類の完成度が非常に高い ■A:上記条件の評価が高い ■B:上記条件の評価が普通 ■C:上記条件の評価が低い ■F:提出レポート類が1つでも抜けた場合は不合格とする -------------------------------------------------------------------------------- |
授業の詳細6 |
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授業の詳細7 |
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授業の詳細8 |
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授業の詳細9 |
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授業の詳細10 |
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