| 科目名 |
大規模集積回路工学 |
| 担当教員 |
真田 克 |
| 対象学年 |
1年,2年 |
クラス |
院：専門001 |
| 講義室 |
Ａ１０５ |
開講学期 |
２学期 |
| 曜日・時限 |
月２,木２ |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
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| 備考 |
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| 授業の詳細1 |
「授業の目的」
電子産業を牽引するCMOS集積回路に関して、微細化、大規模化、多層配線構造化するレイアウト構造を中心に高品質を達成するための工夫や問題点を議論することを目的とする。
（１）基本的なデバイス構造と回路動作の復習を行なう。
（２）技術の進展に伴い顕在化する現象をまとめる。
（３） LSI内部に発生した故障箇所の識別方法に関してソフトウエアとハードウエアによる評価方法に関して現状の技術を紹介し、議論する。
（４）高品質とはどのようなものか、市場品質に合わせた議論を展開する。
「授業の進め方」
各人に割り振られた各アイテムに対してTEXTや資料を用いて説明した後、全員で議論する。基本的なスタイルはセミナ形式で行なう。
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| 授業の詳細2 |
「授業の目標」
１ 調査した内容を簡潔にまとめる力を身につける
２ 発表内容を的確に人に伝える力を身につける
３ ＭＯＳ集積回路を理解する力を身につける
以上、下記に示す授業計画に沿った内容を調査・発表することを主眼に、技術者・研究者としての基本姿勢を身に着けることを目標とする。
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| 授業の詳細3 |
「授業計画」
１ LSIの発達と周辺技術の進歩
微細化、大規模化、多層配線構造化はLSIそのものの進歩とともに、この製造を支える周辺技術の影響度が高い。LSIの進歩を時間軸にどのような技術が支えてきたかを説明する。
２ 半導体物性の基礎
基本的なデバイス物性とともに、微細化によりはじめて顕在化する物性の特徴を述べる。
３ MOＳトランジスタ
基本的なトランジスタ動作とともに、パラメータの変化が特性に与える影響について述べる。
４ MOSサイズ効果
トランジスタのしきい値とショートチャネル効果を中心に述べる。
５ MOSLSIの構成要素
主に配線に関して、抵抗、静電容量、インダクタンスの変化が特性に与える影響について述べる。
６ LSIの故障現象
LSIに見られる故障現象に関して述べた後、どのように故障箇所を絞り込むかソフトウエアとハードウエアを駆使した方法と問題点及び、研究課題について述べる。
７ 歩留まり・信頼性
数理統計を用いた品質評価の判定方法や、如何に製品の品質や歩留まりを上げるか、テストや評価項目を中心に説明する。
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| 授業の詳細4 |
「成績評価」
■AA：４つの条件を満足したものを評価する。①自分の考えを網羅した調査内容 ②まとめ方 ③発表姿勢及び、④提出レポート類の完成度が非常に高い
■A：上記条件の評価が高い
■B：上記条件の評価が普通
■C：上記条件の評価が低い
■F：提出レポート類が1つでも抜けた場合は不合格とする
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テキスト：「集積回路工学」田丸啓吉・野澤博著 共立出版 検討中
「故障現象に関しては別途資料やデータを指定する」
参考書は講義中の各テーマに関して、その都度紹介する。
成績評価：どれだけ深く考えたかを中心に自分の考えを網羅した調査内容、まとめ方、発表姿勢を評価する。
履修上の注意：関数電卓を持参のこと
備 考：本講内容は回路知識とともに、デバイス構造・プロセスを理解しておくことが必須である。
履修前の受講が望ましい科目：論理設計、電子デバイス、デジタル・アナログ回路をはじめとするLSI関係の学部科目、
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| 授業の詳細5 |
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| 授業の詳細6 |
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| 授業の詳細7 |
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| 授業の詳細8 |
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| 授業の詳細9 |
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| 授業の詳細10 |
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