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タイトル「2009年度シラバス」、フォルダ「2009年度シラバス?電子・光システム工学科専門科目
シラバスの詳細は以下となります。
科目名 電子物性基礎 
担当教員 河東田 隆 
対象学年 2年  クラス 学部:専門001 
講義室 A101  開講学期 1学期 
曜日・時限 月3,木3  単位区分 選択 
授業形態 一般講義  単位数
準備事項  
備考  
授業の詳細1 講義の目的
  
半導体を中心とする電子材料の基礎的な性質を理解する.

講義の進め方
  
半導体を構成する原子が持つ電子構造を示した後,半導体の特徴であるエネルギ−帯構造が生じる理由,真性半導体,n形,p形半導体が出来る機構,性質などを示す.

達成目標
  
半導体の基本的特性を理解すること.
 
授業の詳細2 講義計画
  
1 半導体の機能と用途
  半導体によりどのような機能が得られ,それらがどのように利用されているかを考える.
2−4  原子構造
  半導体を構成する原子が持つ電子構造がどのようになっているか,またその理由は何かを学ぶ.
5−6   エネルギ−帯構造
  半導体の特徴であるエネルギ−帯構造が生じる理由,金属,絶縁体との違いを学ぶ.
7−9  真性半導体,n形,p形半導体
  真性半導体,n形半導体,p形半導体が出来る機構,性質の違いを学ぶ.
10−11  キャリヤ密度
  キャリヤ密度がどのように決まるかを学ぶ.
12−14  キャリヤ移動度,抵抗率
  キャリヤ移動度とは何か,それらを決める要因は何か,また抵抗率とどのような関係があるかを学ぶ.
15 試験

 
授業の詳細3 テキスト: 特に指定しない.
参考書: 半導体物性 菅野 卓雄 著 オ−ム社 2500円 など
成績評価: 2回の中間試験 各20点満点
      期末試験 60点満点  合計 100点満点
      60点以上達成された場合を合格とする.講義中に行う演習に対する解答は考慮するが,出席点は加算しない.再試験は行わない.
<成績評価の基準>
AA:特に優れた成績を示したもの
A :優れた成績を示したもの
B :良好と認められる成績を示したもの
C :合格と認められる成績を示したもの
F :不合格
履修上の注意: 各回の内容がそれまでの内容に積み重ねられていくので,各回の内容を十分理解すること.
履修前の受講が望ましい科目: 特になし.
 
授業の詳細4  
授業の詳細5  
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授業の詳細10  


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