科目名 |
デバイスプロセス |
担当教員 |
原 央 |
対象学年 |
3年 |
クラス |
学部:専門001 |
講義室 |
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開講学期 |
2学期 |
曜日・時限 |
時間外 |
単位区分 |
選択 |
授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
準備事項 |
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備考 |
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授業の詳細1 |
「授業の目的」 集積回路は近年もっとも大きな発展を遂げた電子部品(デバイス)で,多くの電子機器やシステムに使われている.電子産業の中で働く技術者は,集積回路と直接あるいは間接的な関わりを持つことが多く,集積回路の内部に立ちいって理解しておくことが重要である. 本教科では,学生がまず,大規模な回路が半導体表面にどのように構成されているかその構造を理解し,次いでその複雑な構造を実現する製造法(プロセス)と集積回路の種類・機能を理解することを目的とする. |
授業の詳細2 |
「授業の進め方」 本教科では,テキストの順序に基本的にそって講義する.本教科の前に開講される「電子デバイスT」,「電子デバイスU」と重複する部分(半導体物性やトランジスタ特性)の説明は省略する.また,本教科と並行して「アナログ回路」,「ディジタル集積回路」が開講されるので,回路の機能や特性に関する説明は省略する. 本教科では,まず集積回路を構成する基本素子,それらを半導体表面上で連結して回路を実現する「集積化」,その集積化を発展させる「大規模化」について講義する.引き続き,集積回路の製造方法と機能,量産品の重要な概念である歩留まり,故障率,信頼性についても講義する. |
授業の詳細3 |
「授業の目標」 1.集積回路を構成する基本素子,これらを集積化した集積回路の構造を理解する. 2.この構造を実現する製造工程の概略(製造の流れ)を理解する. 3.製造の各工程(結晶引上げ、ウェーハ加工,薄膜形成,不純物添加,リソグラフィ,組立など)に関し,その原理,方法などの基礎的な事項を理解する. 4.量産品において重要な歩留り,故障率,信頼性の概念を理解する. |
授業の詳細4 |
「授業計画」 1.集積回路を構成する基本素子,それらの役割などについて説明する.(テキスト1章18〜33ページ) 2.バイポーラ型とCMOS型の集積回路について、その構造と特徴を説明する.(テキスト2章36〜53ページ) 3. DRAM、フラッシュメモリ、ASIC、PLD、MPU/MCU、DSP、SoCなどの代表的な集積回路の構成を説明する.( テキスト3章56〜73ページ) 4.集積回路の製造工程について,まず全体工程の概略を説明する.(テキスト4章78〜95ページ)続いて製造の各工程を説明する. 5.ウェーハが作られるまでの工程を説明する.(テキスト5章98〜113ページ) 6.前工程(ウェーハ状態での工程)に関して,薄膜形成工程(6章116〜127ページ),不純物添加工程(6章128〜133ページ),微細加工工程(7章136〜154ページ)について説明する. 7. 後工程(チップ状態での工程)に関して,ダイシング,マウント,ボンディング,シーリングの工程,パッケージについて説明する.(テキスト8章156〜171ページ) 8. 集積回路の代表的な故障,信頼性,スクリーニング方法ついて説明する.(テキスト9章176〜183ページ) 9. 新しいリソグラフィ,新材料,新トランジスタ構造について,新しい技術の方向を説明する.(テキスト11章208〜225ページ) 10. 本授業の目標とすることをどこまで理解したかを評価する理解度テストを3回に分けて行う.この小テストの評価点の総計で成績評価する.
1月 9日(金曜日)の3、4、5時限 1月10日(土曜日)の1、2、3、4時限 1月16日(金曜日)の3、4、5時限 1月23日(金曜日)の3、4、5時限 1月24日(土曜日)の1、2時限 |
授業の詳細5 |
「成績評価」 ■AA:理解度テストの合計が90点以上, ■A:理解度テストの合計が80点以上, ■B:理解度テストの合計が70点以上, ■C:理解度テストの合計が60点以上, ■F:理解度テストの合計が59点以下, 単位は認めない. Cの条件を僅かに充たさないと考えられる場合は,追レポートにより合格(C)とすることがある.
「その他」 テキスト:「最新 半導体のすべて」 菊地正典著 日本実業出版社 参考書:多くの参考書がある.たとえば,要素プロセスに関する参考書としては「電子デバイスプロセス」(西永頌著,コロナ社), 微細加工に関する参考書としては「超微細加工の基礎」(麻蒔立男著,日刊工業新聞)がある.
履修前の受講が望ましい科目: 電子デバイスT,電子デバイスU |
授業の詳細6 |
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授業の詳細7 |
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授業の詳細8 |
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授業の詳細9 |
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授業の詳細10 |
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