| 科目名 |
電子デバイスⅡ |
| 担当教員 |
真田 克 |
| 対象学年 |
3年 |
クラス |
学部：専門001 |
| 講義室 |
Ａ１０１ |
開講学期 |
１学期 |
| 曜日・時限 |
月１,木１ |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
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| 備考 |
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| 授業の詳細1 |
「授業の目的」
電子デバイスⅠを受けて、バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタの動作原理と電気的特性の理解を目的とする。さらに、集積化の方法やLSIの製造方法を理解することを目的とする。
「授業の進め方」
現代社会を動かしているLSIの基本であるトラジスターの挙動がイメージできるように講義を行う。さらに、イメージの定量化を図るべく数学による動作の原理について講義を行う。特に、トランジスタを理解するための計算問題を適宜配布し理解を助ける。講義の中でのわからない言葉や意味不明の事項及び、講義全般の意見についてメモを提出させる。可能な限り分かりやすく答えることで理解や興味を増強させる。
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| 授業の詳細2 |
「授業の目標」
バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタの動作原理と電気的特性の理解、同時に適宜述べる集積回路の製造方法の理解を目標とする。 関連技術として発光・受光デバイスに関する理解を目標とする。
１ バイポーラトランジスタの概念を理解する．
２ CMOSトランジスタの概念を理解する．
３ 基本的な電子回路の電気特性の数値計算が出来る．
４ 発光・受光デバイスの概念を理解する。
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「授業計画」
1 初講にあたり、デバイス素子の歴史と将来どのようになるかといった素子からシステムに至る概説とこれからスタートする講義内容の概要を述べる。
2-7バイポーラトランジスタの動作原理と電気的特性
8 中間試験
9-12 MOSトランジスタの動作原理と電気的特性（Ⅰ）
13-15 MOSトランジスタの動作原理と電気的特性（Ⅱ）
16 期末試験
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| 授業の詳細3 |
「成績評価」
■AA：3つの条件を満足したものを評価する。①理解度・期末試験の各々が90点以上 ②提出レポート類の完成度が高い ③授業中の積極的な発言や意見
■A：理解度・期末試験の平均が80点以上
■B：理解度・期末試験の平均が70点以上
■C：理解度・期末試験の平均が60点以上
■F：理解度・期末試験の平均が59点以下、単位は認めない
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テキスト ：「よくわかる電子デバイス」筒井一生著 オーム社
半導体データシートは必要時に配布する．
参考書 ：「固体電子論入門 －半導体物理の基礎－」志村史夫著 丸善
「半導体工学」（第2版）高橋清著 森上出版
「見てわかる半導体の基礎」高橋清著 森上出版
「半導体回路設計技術」玉井共著日経マグロウヒル社
成績評価 ：16回の講義の内11回以上出席すること。
履修上の注意：関数電卓を持参のこと
履修前の受講が望ましい科目：電磁気Ⅰ、Ⅱ、半導体基礎、電子デバイスⅠ
基本として「2次微分や積分」は再度自習しておくこと
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| 授業の詳細4 |
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| 授業の詳細5 |
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| 授業の詳細6 |
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| 授業の詳細7 |
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| 授業の詳細8 |
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| 授業の詳細9 |
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| 授業の詳細10 |
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