| 科目名 |
半導体工学 |
| 担当教員 |
河東田 隆 |
| 対象学年 |
3年 |
クラス |
学部：専門001 |
| 講義室 |
Ａ１０４ |
開講学期 |
１学期 |
| 曜日・時限 |
月３,木３ |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
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| 備考 |
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| 授業の詳細1 |
講義の目的
実際に使われている半導体の電子的性質を理解する。
講義の進め方
結晶欠陥とその働きなど実際の電子的性質を示した後、デバイス特性との関連を示す。
達成目標
理想的な電子材料と現実の半導体材料との違いを修得する。 |
| 授業の詳細2 |
講義計画
１〜５ 実際の半導体材料について、考慮すべき点を考える。
６ 結晶欠陥
結晶欠陥の種類とそれがあった場合の性質について学ぶ。
７ トラップ
浅い準位と深い準位について、学ぶ。
中間試験 １〜７回のまとめ
８ 再結合
キャリヤの再結合について、そのメカニズムと効果を学ぶ。
９ キャリヤ移動度
キャリヤ移動度を決める要因について学ぶ。
１０ 逆格子
逆格子とは何か、それを用いることにより、半導体のどのような性質が示されるかを学ぶ。
１１〜１４ 運動量空間におけるエネルギー帯構造
運動量空間におけるエネルギー帯はどうなるか、それを用いることにより、どのような性質が
示されるかを学ぶ。
１５ 試験 理解度の確認と解説 |
| 授業の詳細3 |
テキスト：特に指定しない。
参考書：電子デバイス 古川静二郎、松村正清 昭晃堂 など
成績評価：中間試験、期末試験あわせて１００点満点
６０点以上を合格とする。
成績評価の基準
ＡＡ：特に優れた成績を示したもの
Ａ：優れた成績を示したもの
Ｂ：良好と認められるもの
Ｃ：合格と認められるもの
Ｆ：不合格
履修上の注意：各回の内容が積み重ねられていくので、欠席しないこと。 |
| 授業の詳細4 |
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| 授業の詳細5 |
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| 授業の詳細6 |
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| 授業の詳細7 |
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| 授業の詳細8 |
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| 授業の詳細9 |
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| 授業の詳細10 |
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