| 科目名 |
半導体基礎 |
| 担当教員 |
河東田 隆 |
| 対象学年 |
2年 |
クラス |
学部：専門001 |
| 講義室 |
Ａ１０４ |
開講学期 |
１学期 |
| 曜日・時限 |
月３,木３ |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
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| 備考 |
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| 授業の詳細1 |
講義の目的
半導体の電子的性質を理解する。
講義の進め方
実際に使われている半導体の性質を示した後、デバイスとの関連を示す。
達成目標
半導体の基本的性質を修得する。 |
| 授業の詳細2 |
講義計画
１〜５ 実際の半導体材料について、考慮すべき点を考える。
６〜９ 結晶の不完全性の種類とそれらが半導体の性質に及ぼす効果について学ぶ
中間試験 １〜９回のまとめ
１０〜１４ 運動量空間におけるエネルギー帯とそれを用いることによりわかる
性質について学ぶ。
１５ 試験 理解度の確認と解説 |
| 授業の詳細3 |
テキスト：指定しない。
参考書：電子デバイス 古川静二郎 松村正清 昭晃堂 など
成績評価：中間試験 期末試験あわせて１００点満点
６０点以上を合格とする。
成績評価の基準
ＡＡ：特に優れたもの
Ａ：優れたもの
Ｂ：良好と認められるもの
Ｃ：合格と認められるもの
Ｆ：不合格
履修上の注意：各回の内容が積み重ねられていくので、欠席しないこと。
来年度は開講しない。 |
| 授業の詳細4 |
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| 授業の詳細5 |
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| 授業の詳細6 |
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| 授業の詳細7 |
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| 授業の詳細8 |
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| 授業の詳細9 |
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| 授業の詳細10 |
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