| 科目名 |
半導体工学 |
| 担当教員 |
真田 克 |
| 対象学年 |
3年 |
クラス |
学部：専門001 |
| 講義室 |
Ａ１０４ |
開講学期 |
１学期 |
| 曜日・時限 |
月３,木３ |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
|
| 備考 |
|
| 授業の詳細1 |
「目的」
「電子デバイス」を受けて、再度PN接合から入り、バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタの動作原理と
電気的特性の理解を目的とする。
さらに、集積化の方法がLSIの製造方法を理解することを目的とする。
「進め方」
現代社会を動かしているLSIの基本であるトランジスターの動作がイメージできるように講義を行う。
さらにイメージの定量化をはかるべく数理による動作原理について講義する。
特に、トランジスター動作を理解するための計算問題を適宜配布し理解を助ける。
講義中わからない言葉や意味不明の事項意予備、講義全般の内容に関してメモやReportで解決をはかる。
可能な限り判り易く答えることで興味と理解を増強させる。
|
| 授業の詳細2 |
「講義の目標」
バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタの動作原理と電気的特性の理解と、
同時に適宜述べる集積回路の製造方法の理解を目標とする。
さらに、発光、受光デバイスに関する理解を目標とする
１．バイポーラトランジスタの動作原理と電気的特性の理解
２．MOSトランジスタの動作原理と電気的特性の理解
３．基本的な電子回路の電気特性の数値計算の理解
４．発光、受光デバイスの動作原理と電気的特性の理解
「講義計画」
１ 初講にあたり、デバイス素子の歴史と将来どのように進展するかといった素子からシステムにいたる概説と
これからスタートする講義内容を述べる。
２－３ PN接合、少数キャリアの挙動と連続の方程式に関して（電子デバイスの復習を兼ねる）
４－６ バイポーラトランジスタの動作原理と電気的特性
７ 習熟度確認
８－11 MOSトランジスタの動作原理と電気的特性
12－15 発光、受光デバイスの動作原理と電気的特性
16 習熟度確認 |
| 授業の詳細3 |
--------------------------------------------------------------------------------
「成績評価」
■AA：3つの条件を満足したものを評価する。①理解度・期末試験の各々が90点以上 ②提出レポート類の完成度が高い ③授業中の積極的な発言や意見
■A：理解度・期末試験の平均が80点以上
■B：理解度・期末試験の平均が70点以上
■C：理解度・期末試験の平均が60点以上
■F：理解度・期末試験の平均が59点以下、単位は認めない
|
| 授業の詳細4 |
テキスト：「よくわかる電子デバイス」筒井一生著 オーム社
半導体データは必要に応じて配布する。
参考書：「固体電子論入門」 志村史夫著 丸善
「半導体工学」 高橋 清著 コロナ社
「半導体回路設計技術」 玉井共著 マグロウヒル社
「CMOS Digital Integrated Circuits -Analysis and Design-」Kang Leblebici McGrawHill
成績評価：試験結果を中心に評価する。
授業時に、重要な事項に関して講義した内容をReportとしてまとめ提出させる（この内容も判定に加味する）
履修上の注意：関数電卓を持参のこと
疑問点はその都度質問する態度で授業に臨むこと
備 考：本講内容は「電子デバイス」に続く具体的なデバイス素子の動作に関する内容であり、回路の電気的特性の
理解に必須となる。
ぜひ、主体的な受講なるように各人は工夫すること
履修前の受講が望ましい科目：電磁気Ⅰ、Ⅱ、半導体基礎、電子デバイス
基本として「2次微分や積分」は再度自習しておくこと
|
| 授業の詳細5 |
|
| 授業の詳細6 |
|
| 授業の詳細7 |
|
| 授業の詳細8 |
|
| 授業の詳細9 |
|
| 授業の詳細10 |
|