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タイトル「2012年度シラバス」、フォルダ「2012年度シラバス?環境理工学群専門科目
シラバスの詳細は以下となります。
科目名 ナノ材料設計 
担当教員 谷脇 雅文,古田 守 
対象学年 3年  クラス 学部:専門001 
講義室 B106  開講学期 1学期 
曜日・時限 火2,金2  単位区分 選択 
授業形態 一般講義  単位数
準備事項  
備考  
授業の詳細1 講義の目的
材料を作ろうとするときの過程を一般化すると次のようになる.
(1)どういう特性のもの(材料)が,要求されているのか(ニーズ)を知る.
(2)次にその特性を実現するためには,どういうもの(分子構造,結晶構造,組織,構造,形状)を作ればよいか(=材料モデル)を明示する.
(3)それを作製する方法(=工程)を考える.
(4)実際に作る.

材料設計とは,狭い意味では,上記(2),(3)を指すが,大きく見た場合,上記(1)−(4)全てを含む.この講義では,社会に大きな影響を与える材料の物性制御,開発あるいはプロセスがどのようにして確立されたのか,例をとって学ぶ.


講義の進め方

プリント利用
講義と小テスト

達成目標

構造材料の強度の制御方法を理解
生物由来材料・高分子材料(プラスチックス)の物性制御方法の学習と理解
半導体物性の制御方法の理解と設計
 
授業の詳細2 講義計画

1 材料分子デザイン=材料設計とは

2 金属の設計―強度をあげるために
析出効果の例―マルテンサイト変態
析出効果の例―時効硬化
結晶粒微細化
最近の金属材料の開発の方向―環境調和をめざして


3 生物由来材料と高分子材料
       結合の特長
       木材はなぜ強度があるのか
  プラスチックとその製造方法
       熱に強いプラスチックー耐熱性高分子シリコーンとテフロン
       エラストマーーいわゆるゴム
       導電性高分子の設計



4 半導体素子の開発―材料の機能性
真空管から固体素子へ
       半導体の機能と金属・誘電体との違い
       半導体のバンドギャップとキャリア濃度
       トランジスタの発明―接合型から電界効果型へ
       太陽電池―pn接合による発電
       LED  −キャリア再結合による発光 
       ヘテロ接合によるバンドギャップエンジニアリング
       これからの半導体
       半導体の設計指針


1,2,3については谷脇が担当し、3については古田が担当する。 
授業の詳細3 評価方法

試験(2回)

<成績評価の基準>
AA:特に優れた成績を示したもの
A :優れた成績を示したもの
B :良好と認められる成績を示したもの
C :合格と認められる成績を示したもの
F :不合格  
授業の詳細4  
授業の詳細5  
授業の詳細6  
授業の詳細7  
授業の詳細8  
授業の詳細9  
授業の詳細10  


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