| 科目名 |
光・電子材料評価 |
| 担当教員 |
成沢 忠 |
| 対象学年 |
1年,2年 |
クラス |
院：専門001 |
| 講義室 |
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開講学期 |
１学期 |
| 曜日・時限 |
時間外 |
単位区分 |
選択 |
| 授業形態 |
一般講義 |
単位数 |
2 |
| 準備事項 |
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| 備考 |
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| 授業の詳細1 |
授業の到達目標及びテーマ
＜講義の目的＞ 光・電子デバイスの多くは半導体薄膜の積層構造を持つ。半導体薄膜およびその表面・界面を評価する手法の専門知識を修得する.
＜達成目標＞ 光・電子技術に携わる高度技術者、研究開発者に要求される半導体材料に関する知識を修得し、それを正しく評価するための知識、技術を身につける。
授業の概要
光・電子デバイスに利用される半導体結晶および積層構造の表面・界面について学習し、デバイス特性とのかかわりを理解する。薄膜結晶の評価法についてサーベイし、さらに具体的な問題について専門書やジャーナル論文を輪講形式で学ぶ.
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| 授業の詳細2 |
授業計画
１−２ イントロダクションと問題発見
第１回：光・電子デバイスに使われる材料（化合物半導体）一般について学習する。
第２回：半導体レーザーを例として、光・電子デバイスの構造を学び、結晶欠陥とデバイス特性の相
関を理解する。
３−１１． 各種評価法をサーベイする。
第３回：評価技術の概論を学ぶ。
第４回：イオンビームを用いた評価法―RBS
第５回：イオンビームを用いた評価法―イオンチャンネリング
第６回：イオンビームを用いた評価法―２次イオン質量分析法（SIMS）
第７回：回折法―X線回折法（XRD）
第８回：回折法―電子線回折法（LEED, RHEED）
第９回：電子分光法―オージェ電子分光法（AES）
第１０回：電子分光法―X線光電子分光法（XPS）
第１１回：電子顕微鏡とマイクロプローブ
１２−１４ 具体的な適用例をジャーナル論文の輪講で学ぶ。
第１２回：ジャーナル論文輪講（最初の数名のプレゼン）
第１３回：ジャーナル論文輪講（次の数名のプレゼン）
第１４回：ジャーナル論文輪講（最後の数名のプレゼン）
第１５回：総括
期末試験 |
| 授業の詳細3 |
テキスト
必要に応じてプリントを配布
参考書・参考資料等
"表面・界面の分析と評価"、平木・成沢共著（オーム社）
"Electronic Materials Science: for Integrated Circuits in Si and GaAs", J.W.Mayer and S.S.Lau (Macmillan)
“Fundamentals of Nanoscale Film Analysis”, T.L.Alford, L.C.Feldman and J.W.Mayer (Springer)
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| 授業の詳細4 |
学生に対する評価
成績は輪講および試験の総合得点によって判定する.
◆Ｃ：総合点が６０点以上７０点未満の場合
◆Ｂ：総合点が７０点以上８０点未満の場合
◆Ａ：総合点が８０点以上９０点未満の場合
◆AA：総合点が９０点以上の場合
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| 授業の詳細5 |
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| 授業の詳細6 |
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| 授業の詳細7 |
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| 授業の詳細8 |
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| 授業の詳細9 |
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| 授業の詳細10 |
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