酸化物エレクトロニクス研究センター
センター概要
目的
本センターは、次世代の高度情報化社会を支えるキーデバイスとして期待される「酸化物半導体」および「酸化物エレクトロニクス」の研究を推進し、新たな学術領域と技術の開拓を促進するとともに、その社会実装を目指して設立されました。近年、省エネルギー化やフレキシブルデバイスへの需要の高まりを背景に、従来のシリコン技術を補完、あるいは凌駕する新材料・新技術の創出が強く求められています。本センターでは、これまで蓄積してきた薄膜形成技術、デバイス作製技術、材料設計に関する知見を結集し、基礎物性の解明から革新的デバイスの開発までを一体的に推進します。これらの研究を通じて学術的ブレイクスルーを生み出すとともに、持続可能な社会の実現および地域・国際産業の発展への貢献を目指します。
研究方針と今後の展望
1. 新材料・新プロセスの開拓
原子レベルでの界面制御や、環境負荷の低い低温成膜プロセスの開発を通じて、高品質な酸化物半導体薄膜の創製を目指します。
2. 多機能デバイスの創出
超低消費電力トランジスタ、透明電子回路、フレキシブルデバイス、さらには次世代メモリなど、酸化物半導体の特徴を活かした新しい電子デバイスの実現を目指します。
3. 産官学連携の強化
基礎研究のみならず、企業や研究機関との共同研究を通じて、研究成果を実用技術へと発展させ、社会実装へとつなげます。
４. 今後の展望
短期的には新材料の開発および高品質な薄膜合成技術の確立を目指し、中長期的には「あらゆるモノがインテリジェントにつながるIoT社会」に向けた、超低消費電力かつ多機能な電子デバイスの構築を牽引します。酸化物エレクトロニクスの最前線を追求し、持続可能な社会の実現に向けた革新的な技術を世界へ発信していきます。
