京都市の響都ホールで10月20日、21日に開催された「薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会」において、先端材料・素子科学研究室の曲 勇作さん（大学院博士後期課程 基盤工学コース1年）が研究発表を行い、見事ベストペーパーアワードを受賞しました。

本研究集会では「薄膜デバイスの創りかた・調べかた」をテーマに、薄膜材料からデバイス応用まで広く議論を行いました。曲さんは、酸化物半導体へのプラズマ処理がキャリア生成メカニズムに及ぼす影響とデバイス応用に関する詳細な研究成果を発表し、41件の一般講演の中からベストペーパーアワードの栄誉を得ました。

参加者投票による本賞を受賞した曲さんは「この度は、このような素晴らしい賞を頂き大変光栄に思います。今回の賞に関しまして、古田 守教授を始め、ご指導いただきました牧野 久雄准教授、また研究室の皆様に深く感謝します。この賞を励みに、今後とも酸化物半導体のデバイス応用に取り組んで参ります」と、受賞の喜びを述べていました。

薄膜材料デバイス研究会 ベストペーパーアワード

テーマ：20p-R03 He および Ar プラズマによる InGaZnOx 導電層形成メカニズムと自己整合型トランジスタ応用

発表者：大学院博士後期課程 基盤工学コース1年　曲 勇作さん　　
　　　　（指導教員：先端材料・素子科学研究室　古田 守 教授）
　　　　システム工学群　機能性薄膜工学研究室　牧野 久雄 准教授
　　　　環境理工学群　先端材料・素子科学研究室　古田 守 教授

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