曲 勇作さん(大学院博士後期課程 基盤工学コース 2年)が「第45回 応用物理学会 講演奨励賞」を受賞し、3月9日～12日に東京工業大学 大岡山キャンパスで行われた 第66回応用物理学会春季学術講演会で受賞記念講演を行いました。

同賞は、応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した33才以下の若手研究者の中から、投稿件数の1%以内を限度として選ばれる名誉ある賞です。




先端材料・素子科学研究室(古田 守 教授)に所属する曲さんは、研究論文「Ar+O₂+H₂スパッタIn­-Ga­-Zn­-OによるSchottkyダイオード特性向上」について発表しました。
本論文は、シリコンに代わる次世代の半導体材料として期待されている酸化物半導体のフレキシブルデバイス応用を目指した研究について書かれています。
フレキシブルデバイスとは、例えば"薄い""軽い""曲げられる"などの特性を持つ新たなデバイスのことを指します。新規成膜プロセスにより酸化物半導体中の欠陥低減に必要な熱処理温度を従来の300℃から、プラスチック基板も使用可能となる150℃にまで大幅に低減できることを見出し、これまでで最も良好なSchottkyダイオード特性を実現したことについて書かれており、この研究が進むと将来、フレキシブルなディスプレイやセンサーなど革新的なデバイス実現に貢献することが期待されています。



曲さんは「私たちの研究を高く評価していただき、応用物理学会講演奨励賞という栄誉ある賞を頂けたことをとても光栄に思います。今回の受賞に関しまして、古田教授を始め多く先生方、スタッフ並びに研究室の皆様に、この場を借りて心より御礼申し上げます。本受賞を励みに、今後もより一層邁進して参りたいと思います」と、受賞の喜びを語りました。

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