３月27～29日、韓国・大田で開催された国際会議「18th International Thin-Film Transistor Conference（ITC 2024）」において、曽根﨑 悟さん（大学院修士課程 マテリアル工学コース 2年・鹿児島県立鹿屋高等学校出身）がBest Poster Awardを受賞しました。

ITC2024は、今年で18回目を迎える薄膜トランジスタ（TFT）分野における国際会議で、最新の研究成果や経験を共有し、デバイス設計や材料などに関する有益な議論が行われました。

曽根﨑さんが発表したテーマは「Effects of Oxygen and Hydrogen Partial Pressure during Sputtering Deposition on Structural and Electrical Properties of Polycrystalline Indium Oxide(poly-InOx) Thin Films（多結晶酸化インジウム薄膜成膜時の酸素および水素分圧の結晶構造および電気特性影響）」です。

先端材料・素子科学研究室（指導教員：古田 守教授）では、TFTの材料として多結晶酸化インジウムに着目し、水素を添加することで、結晶粒径の増大による移動度の向上を可能としています。曽根﨑さんは、水素添加多結晶酸化インジウム薄膜の成膜圧力を変化させることで生じる、結晶粒径と電気特性の変化を調査。成膜圧力が低いほど、粒径が拡大し、電気特性に優れることを明らかにしました。また、圧力減少により、作成したTFTの電界効果移動度も上昇することを確認しました。

受賞を受けて、曽根﨑さんは「古田先生、研究室のメンバーに感謝しています。小さい頃から、ものづくりが好きで、多くの人々の生活と密接に関わるディスプレイに興味を持ち、TFTの研究を行う古田研究室を選択しました。入学当時は英語が苦手でしたが、研究を進めていく上で英語を避けて通ることはできず、英語力向上に努めました。今回の国際会議で、来場された方々に自分の研究内容を正しく伝え、理解してもらうことができたことは、その努力が結果に結びついたと感じ、非常に嬉しく感じます。今後は、信頼性の高いTFTを作ること、また、本成果をリソグラフィー法によるTFTに発展させることが目標です」と語りました。

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