2024年12月４～６日に札幌コンベンションセンターで開催された「The 31st International Display Workshops」において、ALOM Mir Mutakabbirさん（博士後期課程 基盤工学コース３年／指導教員：先端材料・素子科学研究室 古田 守教授）がBest Student Paper Awardを受賞しました。

同賞は、学生の発表者のうち、優秀な論文とそれに基づく優れたプレゼン、ディスカッションを行った者に贈られるものです。

ALOMさんが発表したテーマは「Highly Reliable Hydrogen-Doped Polycrystalline Indium Oxide Top-Gate Thin-Film Transistor（InO_x:H TFT)with Hydrogen-Free SiO₂ Gate Insulator and Boron Implanted Source and Drain Regions（水素フリーSiO₂ゲート絶縁膜ならびにホウ素注入ソースドレイン領域を有する高信頼性水素ドープ多結晶酸化インジウムトップゲート型薄膜トランジスタ（InO_x:H TFT）」です。

本研究は、近年注目されている多結晶酸化物半導体InO_x:H TFTの高移動度かつ高信頼性化に関する研究で、東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株)と日新イオン機器(株)との共同研究成果です。これまでの簡易的構造を用いて検討されてきた高移動度トランジスタを、産業界が求める微細加工ならびに自己整合構造を有する素子に発展させたうえで実用化可能な信頼性を実証した研究となっており、ALOMさんはその実現に向けた主体的役割を果たしました。

受賞を受けてALOMさんは " I am honored to receive the Best Student Paper Award at IDW'24. This recognition highlights the significance of our research on highly reliable hydrogen-doped polycrystalline indium oxide thin-film transistors (TFTs). Oxide semiconductors are crucial for next-generation displays and LSIs, but their reliability is essential for their successful integration into real device applications. I sincerely appreciate the support and guidance from supervisor Prof. Mamoru Furuta. This award inspires me to continue advancing oxide semiconductor technology to meet future demands. " と話しました。

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