３月24～26日に奈良県で開催された国際会議International Thin-film Transistor Conference（ITC2025）において、ALOM Mir Mutakabbirさん（博士後期課程 基盤工学コース３年／指導教員：先端材料・素子科学研究室 古田 守教授）がBest Student Presentation Awardを受賞しました。

ITCは、薄膜トランジスタ（TFT）分野における国際会議で、最新の研究成果や経験を共有し、デバイス設計や材料などに関する有益な議論が行われます。

ALOMさんが発表したテーマは「Control of channel shortening in top-gate poly-InOx TFT with boron implanted source and drain regions（ホウ素注入にてソースおよびドレイン領域を形成したトップゲートpoly-InOx TFTのチャネル長短縮制御」です。

この研究は、酸化物半導体トランジスタの微細化を制限する要因である設計チャネルの長さと実効チャネルの長さの差異が生じる要因と対策について検討したものです。本研究では、チャネルの長さ2マイクロメートルまで両者の差をほぼゼロにすることに成功し、良好なトランジスタ特性を実現しました。今回の受賞は、酸化物半導体トランジスタの微細化に貢献しうる成果が評価されたものです。

受賞を受けてALOMさんは「Our research focuses on advancing short-channel oxide thin-film transistors (TFTs)--a foundational technology for high-resolution displays and large-scale integrated (LSI) systems. As device dimensions shrink, channel shortening becomes a major challenge, leading to loss of gate control, degraded switching performance and subthreshold slope and threshold voltage roll-off. One of the key strategies to control this is precise source and drain formation, and we addressed this by employing boron ion implantation, which plays a crucial role in suppressing channel shortening and ensuring robust device behavior at scaled lengths. Additionally, in short-channel devices, contact resistance becomes a dominant performance limiter. These results highlight a promising path forward for realizing high-performance, thermally stable, and scalable oxide electronics. I sincerely appreciate the invaluable support and guidance from my supervisor, Prof. Mamoru Furuta, and I am deeply grateful to the ITC 2025 committee and all the mentors, collaborators, and colleagues whose contributions made this achievement possible. 」と話しました。

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