教員情報詳細

教員略歴

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本年度担当講義

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研究シーズ

メッセージ

本研究室では、次世代の半導体材料として注目される酸化物半導体を対象に、材料・プロセス・デバイス構造に関する研究を行っています。材料科学とデバイス物理に基づき、酸化物半導体デバイスにおける革新的な技術の創出を目指しています。クリーンルームを活用して薄膜合成からデバイス作製、評価・解析までを一貫して行うことで、実践的かつ高度な研究力を養います。本研究室での経験を通じて、将来、材料・デバイス分野の最前線で活躍できるパイオニア的人材の育成を目指しています。

研究業績

主な受賞歴など

• 優秀論文発表賞A（2021） 一般社団法人電気学会
• ベストペーパーアワード（2021） 第18回薄膜材料デバイス研究会
• 佐久間賞(学長賞)（2020） 高知工科大学
• Outstanding Presentation Awards（2019） The 7th International Symposium on Frontier Technology
• 講演奨励賞（2019） 第14回応用物理学・物理系中四国支部学術講演会
• 講演奨励賞（2018） 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• ベストペーパーアワード（2017） 第14回薄膜材料デバイス研究会
• 技術委員会奨励賞（2016） 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会

代表的な研究論文

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学会発表・講演など

1. 次世代FPDの要求を満たす高移動度を示す安定な酸化物薄膜トランジスタ，第72回応用物理学会春季学術講演会（2025）
2. High-mobility Indium Oxide Thin Film Transistors with High Reliability，The Electrochemical Society (ECS) PRiME 2024（2024）
3. 高移動度酸化物TFTに関する最新の展開，総合研究奨励会 第8回透明酸化物光・電子材料研究会（2024）
4. Strong Dependence of Solid-Phase Crystallization Atmosphere on the Performance of In2O3:H Thin Film Transistors，Materials Research Meeting (MRM)（2023）
5. 多結晶In2O3:H薄膜トランジスタ特性の固相結晶化雰囲気依存性，第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023）
6. High-Mobility Thin-Film Transistors with Polycrystalline In2O3:H Channel Deposited by Pulsed Laser Deposition under High-Base Pressure，The 23rd International Meeting on Information Display (IMID)（2023）
7. High-mobility In2O3:H thin films and thin-film transistors deposited under varied base pressure by pulsed laser deposition，Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD)（2023）
8. High-mobility polycrystalline In2O3:H thin-film transistors fabricated through low-temperature solid-phase crystallization，The 30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'23)（2023）
9. High-mobility In2O3:H thin-film transistors by pulsed laser deposition under high-base pressure，The 4th Workshop on Functional Materials Science (FMS)（2023）
10. Base pressure controlled fabrication of high-mobility In2O3 thin film transistors，ULSIC VS TFT 8（2023）
11. 高背圧下でのPLDによる高移動度In2O3薄膜作製，第70回応用物理学会春季学術講演会（2023）
12. High-mobility (>100 cm2V−1s−1) In2O3:H Thin-film Transistors by Solid-phase Crystallization，The 29th International Display Workshops (IDW)（2022）
13. Hydrogenated Polycrystalline In2O3 (In2O3:H) Thin-Film Transistor with High Mobility Exceeding 100 cm2V−1s−1 Via Solid-Phase Crystallization，The 242nd Electrochemical Society (ECS)（2022）
14. 固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの 高移動度化(>100 cm2V−1s−1)，シリコン材料・デバイス研究会（SDM）（2022）
15. 水素化In2O3(In2O3:H)固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響，第69回応用物理学会春季学術講演会（2022）
16. 酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用，電気学会 電子材料研究会（2021）
17. 高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ，第18回 薄膜材料デバイス研究会（2021）
18. 高移動度水素化In2O3薄膜トランジスタ，第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021）
19. Activation of IGZO Devices at 150°C via Reduction Process Using Hydrogen Gas During Sputtering，SID Display Week Symposium 2021（2021）
20. 酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用，電子情報通信学会（2020）
21. 酸化物半導体フレキシブルデバイス，高知化学シンポジウム（2020）
22. Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In–Ga–Zn–O Channel Deposited By Ar+O2+H2 Sputtering，The 238th Electrochemical Society (ECS) PRiME（2020）
23. Effects of water and hydrogen introduction during In–Ga–Zn–O sputtering on the performance of low-temperature processed thin-film transistors，International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)（2020）
24. 水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価，第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020）
25. 酸化物半導体ショットキーフレキシブルデバイス，Combined Exhibition of Advanced Technologies (CEATEC)（2019）
26. Ar+O2+H2スパッタIn–Ga–Zn–O薄膜の電子状態評価，第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019）
27. Origin of Schottky diode properties in InGaZnO/AgxO oxide hetero interface，The 7th International Symposium on Frontier Technology（2019）
28. 酸化物半導体Schottky接合制御と金属半導体電界効果トランジスタ応用，第14回応用物理学・物理系中四国支部学術講演会（2019）
29. Ar+O2+H2スパッタIn–Ga–Zn–OによるSchottkyダイオード特性向上，第66回応用物理学会春季学術講演会（2019）
30. XPS analysis of silver–oxide films deposited by reactive sputtering，7th International Symposium Transparent Conductive Materials (TCM)（2018）
31. Ar+O2+H2スパッタIn­–Ga­–Zn­–Oによる Schottkyダイオード特性向上，第79回応用物理学会秋季学術講演会（2018）
32. InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用，シリコン材料・デバイス研究会（SDM）（2018）
33. InGaZnO/AgOX酸化物ヘテロ界面によるショットキー特性評価，第65回応用物理学会春季学術講演会（2018）
34. HeおよびArプラズマによるInGaZnOX導電層形成メカニズムと自己整合型トランジスタ応用，第14回薄膜材料デバイス研究会（2017）
35. XPS Analysis of Carrier Generation Mechanism in He- and Ar-Plasma-Treated InGaZnO，29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS)（2017）
36. Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In-Ga-Zn-O/AgOx Schottky Gate，The 230th Electrochemical Society (ECS) PRiME（2016）
37. プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用～プラズマ処理時の基板バイアスの効果～，発光型非発光型ディスプレイ合同研究会（2016）
38. X線光電子分によるInGaZnOのキャリア生成メカニズムの解析～Heプラズマ処理時の基板バイアス効果～，第76回応用物理学会秋季学術講演会（2015）
39. Thermally Stable In-Ga-Zn-O Homojunction formed by Plasma Treatment with Substrate Bias for Self-Aligned Thin-Film Transistors，The 15th International Meeting on Information Display (IMID)（2015）
40. プラズマ処理によるIGZO TFTのソース・ドレイン領域形成～ガス種と基板バイアスが抵抗率およびその熱的安定性に及ぼす効果～，第62回応用物理学会春季学術講演会（2015）

社会貢献及び広報活動

学外委員・学会活動など

1. 応用物理学会北海道支部 会計幹事（2024～2025）
2. International Meeting on Information Display (IMID) プログラム委員（2024～）
3. 応用物理学会 プログラム委員（2024～）
4. 薄膜材料デバイス研究会 組織委員（2022～）
5. International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) プログラム委員（2022～）

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