教員情報詳細
Palani RajasekaranPALANI Rajasekaran
- 1994年生まれ 男性
- 職位： 助教
- 所属： 総合研究所 マテリアルズデザインセンター
- researchmap： https://researchmap.jp/palanirajasekaran
教員略歴
| 学位 | 2020 | |
|---|---|---|
| 学歴 |
Anna University, AC Tech campusFaculty of Technology 卒業（2017）
Anna UniversityFaculty of Engineering 卒業（2015） 静岡大学Faculty of Engineering 卒業（2020） |
|
| 職歴 | Post-Doctoral fellow, Shizuoka University（2020～2021） | |
| 資格 | ||
| 専門分野 | Electronics and materials science | |
| 研究室 | 名称 | |
| 詳細 | ||
| 所属学会 | Japanese soceity of Applied Physics | |
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本年度担当講義
| 学部・学群 | |
|---|---|
| 大学院 |
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研究シーズ
| 現在の研究 | Zinc oxide thin film growth for electrical-optical applications |
|---|
メッセージ
研究業績
主な受賞歴など
- Best poster presentation Award (2016) IAA conference at SRM University
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学会発表・講演など
- Factors determining carrier transport in W-doped In2O3 films，8th International Symposium on Transparent Conductive Materials & 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics（2022）
- Bandgap Engineering Thought Control of Oxygen Vacancies in Sn-Doped In2O3 Films with the Irradiation of Negatively Charged Oxygen Ions，The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Nagoya Univeristy（2022）
- Classical-Size-Effect Model for W-Doped In2O3 Films with Thicknesses of Less Than 10 nm Obtained by Solid-Phase Crystallization，The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Nagoya Univeristy（2022）
- Factors limiting carrier transport of W-doped In2O3 films with thicknesses of less than 10 n，Virtual Conference, France（2022）
- Control of Residual Stresses in Highly Transparent Conductive Ga-Doped ZnO Films Deposited on Polymer Substrates，2022年9月5日 - 2022年9月8日（2022）
社会貢献及び広報活動
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