教員情報詳細

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綿森 道夫Michio Watamori

  • 1962年生まれ 男性
  • 職位: 准教授
  • 所属:
  • システム工学群
    大学院工学研究科 基盤工学専攻 電子・光システム工学コース

教員略歴

学位 工学博士
学歴 大阪大学大学院博士後期課程 修了(1990)
職歴 大阪大学助手
資格
専門分野 表面・界面物理
イオンビーム分析
薄膜物性
研究室 名称 プロセッサ回路の設計・制御(研究室)
詳細 プロセッサを用いて、従来高価で複雑な電子回路をシンプルで安価に実現することを目指します。電子工作の流行に伴い、プロセッサは著しく進歩して、今まで高価な測定装置に使われた回路も置き換え可能になりました。実際に製作を行うことで、設計力のみならずはんだ付けの技術なども向上します。3Dプリンタも併用します。
所属学会 応用物理学会
日本物理学会
低温学会
日本真空協会

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本年度担当講義

学部・学群 電子・光システム工学実験2 / 卒業研究 / ディジタル信号処理 / 回路・過渡 / 電磁気・磁場
大学院 セミナー1 / セミナー2 / 特別研究 / 電子デバイス工学

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研究シーズ

相談可能な領域 半導体材料
薄膜作成
回路設計
デジタルビデオ編集
3Dアニメーション
現在の研究 機能性薄膜のイオンビーム分析

マイコンを用いた制御用電子回路

メッセージ

研究業績

代表的な研究論文

タイトル 著者 発表誌 発表年
Ion beam analysis of PZT thin films M.Watamori,M.Isono,H.Madono,Y.Kawano,K.Sasabe,T.Hirao,K.Oura Appl. Surf. Sci.,No.142,pp.422-427 1999
High-energy ion beam analysis of ferroelectric thin films M.Watamori,S.Honda,O.Kubo,I.Kanno,T.Hirao,K.Sasabe,K.Oura Appl. Surf. Sci.,No.117/118,pp.453-458 1997
A new method for the detection of native oxide on Si with combined use of 16O (α, α) 16O resonance and channeling M.Watamori,O.Kubo,K.Oura Appl. Surf. Sci.,No.113/114,pp.403-407 1997
Channeling analysis of oxygen in oxide materials using 16O (α, α) 16O resonant backscattering M.Watamori,T.Hirao,K.Sasabe Nucl. Instr. & Methods,No.B118,pp.233-237 1996
Backscattering analysis of thin SiO2 films on Si using 16O (α, α) 16O 3.045MeV resonance M.Watamori,K.Oura,T.Hirao,K.Sasabe Nucl. Instr. & Methods,No.B118,pp.228-232 1996
Methodology for Accurate Oxygen Distribution Analysis and Its Application to YBa_2Cu_3O_x Thin Films Using ^<16>O (a, a) ^<16>O 3.045 MeV Resonance Reaction M.Watamori 1900

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社会貢献及び広報活動

一般講演など

  1. マイナスイオンって何?,
  2. 光って何だろう?,
  3. LEGO から学ぶ物理,
  4. 電子ペットの科学,

主な著書など

  1. 表面科学シリーズ5 表面の組成分析の第3章の6「ラザフォード後方散乱分光 (RBS) 」,丸善,1999
  2. 「リコイル散乱 (ERD) 」半導体計測辞典,サイエンスフォーラム社,,1993
  3. 「ラザフォード散乱法 (RBS) 」半導体計測辞典,サイエンスフォーラム社,1993